热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石涂层制备设备厂家《地震资讯》
金刚石作为超宽带隙半导体材料,具有高载流子迁移率、高热导率、高击穿电场、高载流子饱和速率和低介电常数等优异物理特性,被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件的“终极半导体”。
热丝CVD金刚石制备设备
我国金刚石半导体产业与先进国家相比存在:1、关键设备依赖进口,无自主知识产权,易遭到国外封锁;2、缺乏大尺寸金刚石衬底制备和薄膜外延生长工艺;3、金刚石研磨、键合、减薄技术不成熟等差距。本项目集合高校顶级科研团队和工业界优秀工程师团队,打通产业化所需的高质量金刚石薄膜生长、热丝CVD金刚石设备定制、晶圆抛磨键合减薄等研发和生产环节,从工具级、热学级产品切入,并将持续推动光学级、电子级甚至量子级产品研发。
热丝CVD(HFCVD)优势:可以生长大尺寸的微米晶纳米晶CVD金刚石晶圆片。
微波CVD(MPCVD)、电弧法(DCCVD)、高压法只能生长出最大尺寸4英寸(多晶金刚石),2英寸(单晶金刚石);最大问题是做不了大尺寸(例如产业界需要6英寸和8英寸的金刚石晶圆片),这极大的阻碍了CVD金刚石的市场推广和应用。
HFCVD技术是最早用于研究CVD金刚石的技术,但在今天仍然是最重要的金刚石膜制备技术之一。无论在研究领域,还是在商业领域都发挥着不可替代的作用。尽管目前主要的应用还集中在工具,包括薄膜涂层工具和厚膜工具和涂层领域,但在电子、电化学、化工等许多高新技术领域均已得到实际应用,已显示非常广阔的应用前景。所以研发一款热丝化学气相沉积金刚石膜制备是非常有意义的事情。
威斯尼斯人老品牌(China)有限公司官网是半导体薄膜解决方案提供商及生产设备制造商,自主可控,自主研发了半导体外延片散热所使用的也就是热沉片,已经首次做到六英寸的金刚石晶圆片,解决了卡脖子及填补了中国空白。
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