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PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备

PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。

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PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备

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  • 产品描述

  • PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。

    设备用途和功能特点
    1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。
    2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。
    3、配置尾气处理装置。
    设备安全性设计
    1、电力系统的检测与保护
    2、设置真空检测与报警保护功能
    3、温度检测与报警保护
    4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护

    设备技术指标

     类型

    参数 

    　样片尺寸

    　≤φ8英寸（或多片2英寸）

    　样片加热台加热温度

    　室温～ 600℃±0.1℃

    　真空室极限真空

    　≤3×10-5Pa

    　工作背景真空

    　≤4×10-4Pa

    　设备总体漏放率

    　停泵12小时后，真空度≤10Pa

    　样品、电极间距

    　5mm ～ 50mm在线可调

    　工作控制压强

    　10Pa ～ 1500Pa

    　气体控制回路

    　根据工艺要求配置

    　单频电源的频率

    　13.56MHz

    　双频电源的频率

    　13.56MHz/400KHz

     

    工作条件

     类型

    参数 

    　供电

    　三相五线制 AC 380V

    　工作环境温度

    　10℃～ 40℃

    　气体阀门供气压力

    　0.5MPa ～ 0.7MPa

    　质量流量控制器输入压力

    　0.05MPa ～ 0.2MPa

    　冷却水循环量

    　0.6m3/h 水温18℃～25℃

    　设备总功率

    　7kW

    　设备占地面积

    　2.0m ～ 2.0m

    单室与多室PECVD设备

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